Сервер "Ferra" / Платформа
Ежедневные обзоры компьютерных новостей, статьи об оперативной памяти, процессорах, системных платах.
Тесты модулей DDR400 семи типов от разных производителей. Влияние настроек памяти в BIOS Setup на быстродействие чипсета nVIDIA nForce2. Память DDR400 (PC3200) SDRAM против DDR333, DDR266 и PC133. Тесты в играх.
"iXBT Hardware" - раздел "Системная память"
Новости из мира системной памяти. Материалы статей с обзорами и тестами памяти. Ссылки на производителей оперативной памяти. Практическое исследование производительности. RAMBUS DRAM: очередной виток технологии. Память FeRAM — специальные термины и принципы работы. Настройка подсистемы памяти в BIOS SETUP. RAMBUS и SLBUS: структурный анализ высокоскоростных интерфейсов памяти. Нужна ли ассоциативная память? DRAM: трудности, которые мы выбираем. Технология RAMBUS: теория функционирования. FAQ по модулям памяти.
Новые статьи.
FAQ по DDR3
Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, мы можем говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). При сохранении основного строения архитектуры, ключевым изменениям подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O. Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту.
Технология Enhanced Performance Profiles для модулей памяти
Рынок оперативной памяти достаточно консервативен. За исключением появления раз в два-три года принципиально иных типов модулей и регулярного обновления стандартов JEDEC относительно тактовых частот какие-либо технологические нововведения встречаются крайне редко и еще реже выходят за рамки изменений системы охлаждения или улучшения внешнего вида. В связи с этим стоит уделить отдельное внимание технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), недавно анонсированной NVIDIA в качестве открытого стандарта.
Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 23: Модули Corsair DDR2-1066 с поддержкой EPP (XMS2-8500C5)
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим первые модули памяти высокоскоростной неофициальной категории «DDR2-1066» от Corsair, поддерживающие расширения стандарта SPD EPP (Enhanced Performance Profiles), совместно разработанные компаниями Corsair и NVIDIA — 2-ГБ двухканальный комплект XMS2-8500C5, ориентированный на платформу AMD «AM2».
Исследование основных характеристик модулей памяти DDR. Часть 8: Модули Corsair TWINX2048-4400PRO
Внешний вид модулей TWINX2048-4400PRO привычен для серии PRO, которую мы рассматривали ранее на примере аналогичных модулей памяти DDR TWINX2048-3500LLPRO. Отличительные особенности этой серии — массивный алюминиевый теплоотвод (настоящие моудли имеют теплоотвод черного цвета) и наличие светодиодов — индикаторов активности (в данных модулях, как и в TWINX2048-3500LLPRO, используется 18 светодиодов), которые можно разглядеть на нижнем фото (вид модуля с торца). Напоминаем, что светодиоды характеризуют не активность индивидуальных логических банков модуля, а уровень общей загрузки шины памяти данного модуля — от минимальной, индицируемой первыми тремя парами зеленых светодиодов, к средней (три пары желтых светодиодов, расположенных посередине) и до максимальной (последние три пары красных светодиодов). Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR серии XMS PRO на сайте производителя отсутствует. В кратком техническом описании (datasheet) модулей указывается, что продукт представляет собой комплект из двух «подогнанных» друг к другу модулей DDR-400 суммарным объемом 2ГБ. Модули способны функционировать при частоте до 275 МГц (режим «DDR2-550») при использовании «умеренно» схемы таймингов 3-4-4-8 и напряжении питания 2.8 В. В то же время, в микросхеме SPD модулей в качестве стандартного прописан режим DDR-400 со схемой таймингов 3-3-3-8.
Тестирование памяти DDR2 SDRAM
Уже ни для кого не секрет, что на рынке SDRAM-памяти наметился новый лидер — DDR2 SDRAM. Успеху стандарта DDR2 SDRAM способствует не только успешный дебют платформ, основанных на наборах микросхем системной логики Intel, но и поддержка данного типа памяти другими чипсетами. Популярности стандарту добавил и тот факт, что к этому типу памяти вскоре планируется перевести не только Intel-, но AMD-платформы.
В настоящем тестировании представлены модули памяти стандарта DDR2 SDRAM различных спецификаций, ориентированные как на обычных пользователей, так и на энтузиастов. Забегая вперед, подчеркнем, что результаты тестирования представленных модулей стоит рассматривать вкупе с конкретным чипсетом и конкретной моделью материнской платы, поскольку на других платформах некоторые модули памяти могут проявить себя как с лучшей, так и с худшей стороны. Кроме того, некоторые полученные результаты, продемонстрированные памятью, были заведомо предсказуемы. Особенно это касается модулей памяти, ориентированных на энтузиастов. Производительность таких модулей памяти мало чем отличается, поскольку разброс результатов не очень заметный. А вот разгонный потенциал такой памяти, по нашему мнению, — более важная характеристика, нежели производительность, поскольку доставляет моральное удовлетворение ее обладателю.
Ресурсы
Статьи
Рейтинг
Модели
Форум
